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InGaAsフォトダイオード
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KPDB086S-H8

KPDB086S-H8
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特長

  • 短波で高感度
  • 大受光径
  • 低暗電流
  • 高信頼性

用途

  • 近赤外線センサ
  • LD / LED パワーモニタ
  • 近赤外線分光
  • 光計測/ センシング

仕様

絶対最大定格
項目記号定格値単位備考
逆電圧VR5V
逆電流IR2mA
順電流IF10mA
動作温度Topr-40 to +85結露なきこと
保存温度Tstg-55 to +125結露なきこと
はんだ温度Tsol260Max.5 sec.
電気的・光学的特性
項目記号特性値単位条件
Min.Typ.Max
受光サイズD0.86 x 0.86 (mm2) 
検出波長λ8001550(λp)1700nmλp=Peak wavelength
帯域幅BW50MHzRL=50Ω, VR=1V
受光感度R0.45
1.1
A/Wλ=850nm, VR=0V
λ=1550nm, VR=5V
暗電流ID110nAVR=1V
トータル容量Ct35pFVR=1V, f=1MHz
KPDB086S-H8

InGaAsフォトダイオード:その他の製品

 概要形名受光サイズ暗電流パッケージ特徴及び用途
Typ.
高速KPDE10GC-V228μmφ10pA@5Vチップ10Gbps レシーバー
高速KPDE00445μmφ20pA@5Vハーメチックシール ピグテールDC-3Gbps レシーバー
高速KPDE00660μmφ30pA@2VDC-2.5Gbps レシーバー
高速KPDE00880μmφ30pA@5VDC-1.25Gbps レシーバー
高速KPDE020200μmφ50pA@5VDC-1GHzbps パワーモニター
高速KPDE030300μmφ100pA@5VDC-600Mzbps パワーモニター
大面積KPDE086S0.86 x 0.86 (mm21nA@5Vハーメチックシール近赤外センサー、LD&LEDパワーモニター、近赤外線分光、LD&LED衛ジング機器、パワーメーター
大面積KPDE1501500μmφ1nA@1V
大面積KPDE3003000μmφ2nA@1V
大面積KPDB086S-H80.86 x 0.86 (mm21nA@1V短波長で高感度、近赤外センサ、LD&LEDパワーモニタ、赤外線分光、パワーメータ
ミニキャンKPDE008-S80μmφ30pA@5Vミニキャン、ピグテール多チャンネル高密度パッケージング用
ミニキャンKPDE020-S200μmφ50pA@5V
ミニキャンKPDE030-S300μmφ100pA@5V
ミニピグKPDE008S-TU80μmφ30pA@5Vミニキャン ピグテール
ミニピグKPDE030SA-TU300μmφ160pA@5V
LバンドKPDE030SL300μmφ100pA@5VハーメチックシールDWDM用光出力モニター
24チャンネルKPDM024MT80μmφ80pA@5VWDM用24tチャンネル光パワーモニターフォトダイオードアレイ
端面入射KPEIMC-100100x80 (μm) 35pA@5Vチップ端面の受光径サイズをアップし、光配線の結合性を向上
端面入射KPEIMC-UDCOM100x120 (μm) 50pA@5V大面積の端面PD
レーザーモニター
アレイKPA8-2N80μmφ80pA@5V250μmピッチ 8chアレイ250μmピッチアレイファイバーとのパットジョイント
アレイKPA4-2N80μmφ80pA@5V250μmピッチ 4chアレイ