硅光电三极管
-
KPT801HB2
规格
最大额定值
| 项目 | 符号 | 额定值 | 单位 | 备考 |
|---|---|---|---|---|
| 集电极-发射极电压 | VCEO | 20 | V | |
| 发射极-集电极电压 | VECO | 5 | V | |
| 工作温度 | Topr | -20 to +80 | ℃ | Avoid dew condensation |
| 存储温度 | Tstg | -30 to +100 | ℃ | Avoid dew condensation |
电子和光学特性
| 项目 | 符号 | 特征值 | 单位 | 条件 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | Typ. | 最大 | ||||
| 光接收尺寸 | S | 0.64×0.64 | mm | |||
| 检测波长 | λ | 700 | 800(λp) | 1100 | V | λp=Peak wavelength |
| 光电流 | IL | 2 | mA | VCE=5V, 100lx(@2856K) | ||
| 暗电流 | ID | 100 | 200 | nA | VCE=20V | |
| 电流放大系数 | hFE | 400 | - | VCE=5V, IC=2mA | ||
| 集电极饱和电压 | VCE(sat) | 0.4 | V | IC=0.1mA, 100lx(@2856K) | ||
| 上升/下降时间 | tr,tf | 5 | µS | VCE=5V, IC=2mA, RL=100Ω | ||
| 半値角 | 2θ | 17 | deg | |||
硅光电三极管 : 其他产品
| 型号 | 光接收尺寸 (mm) | 最大灵敏度 波长 (nm), Typ. | 光電流 VCE=5V | 半功率角 (deg) | 封装 | 特点和用途 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| (mA) | (IX) | |||||||
 | KPT801HB2 | 0.64×0.64 | 800(λp) | 2 | 100 | 17 | TO-18 气密封装 | 可见光过滤类型 |
 | KPT811H | 0.64×0.64 | 800(λp) | 2 | 100 | 17 | 带底座端子 | |
 | KPT801C2 | 0.64×0.64 | 880(λp) | 4 | 1000 | 120 | φ3陶瓷封装；环氧树脂透镜 | 陶瓷类型 |
 | KPT081M31 | 0.64×0.64 | 800(λp) | 7 | 1000 | 60 | φ3树脂密封 | 透明树脂密封类型 |