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产品信息

硅雪崩光电二极管
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KPDA020P-H8

KPDA020P-H8

特点

  • 1.3GHz响应(光接收直径为0.2mm)
  • 1.2GHz响应(光接收直径为0.5mm)
  • 0.6GHz响应(光接收直径为1mm)
  • 高增益

应用

  • 短波长光通信
  • 光学测量
  • 光学传感器
  • 微弱光检测

规格

最大额定值
项目符号额定值单位备考
反向电流IR0.2mA
正向电流IF10mA
工作温度Topr-40 to +85Avoid dew condensation
存储温度Tstg-40 to +125Avoid dew condensation
电子和光学特性
项目符号特征值单位条件
最小Typ.最大
光接收直径D200µm
检测波长λ400780(λp)1000nm
响应率R0.40.45A/WM=1, λ=850nm
击穿电压VB80120200VIR=100µA
击穿电压温度系数ΔVB/ΔT0.55V/℃
暗电流ID10200pAVR=50V
端子间电容Ct0.61.2pFVR=0.9VB, f=1MHz
截止频率fc1.3GHzM=100, RL=50Ω, λ=850nm
KPDA020P-H8

硅雪崩光电二极管 : 其他产品

 型号光接收直径
(µm dia.)
最大灵敏度
波长
(nm), Typ.
灵敏度放大系数封装特点和用途
(A/W)@λ(nm)
KPDA020P-H8200780(λp)0.45850150TO-18 气密封装fc=1.3GHz
KPDA050P-H8500780(λp)0.45850150fc=1.2GHz
KPDA100P-H81000780(λp)0.45850150fc=0.6GHz
KPM1001000780(λp)(programable)APD module with amplifierIntegrated with a high speed transimpedance amplifier (100MHz) and a high voltage bias source