产品信息

InGaAs/InAs光电二极管(带半导体电子制冷片)
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KPDS100-H54PS

KPDS100-H54PS

Features

  • Φ1.0mm sensitive area
  • Cutoff wavelength 3.5μm
  • TO-5 package
  • One-stage TE cooler

Applications

  • MID-IR sensors
  • MID-IR spctroscopy
  • Gas analysis
  • Temperature sensors

规格

最大额定值
项目符号额定值单位备考
反向电压VR0.5V
热敏电阻容许损耗Pth1.5mW
半导体制冷器电流IC1.0A
半导体制冷器电压VC1.85V
工作温度Topr-40 to +60Avoid dew condensation
存储温度Tstg-40 to +80Avoid dew condensation
电子和光学特性
项目符号特征值单位条件
最小Typ.最大
光接收尺寸Sφ1(mm)mm2
检测波长λ3300(λp)
3200(λp)
nmCooler temperature 25℃
Cooler temperature -20℃
响应率R1.0
1.2
1.2
1.4
A/Wλ=λp, Cooler temperature 25℃
λ=λp, Cooler temperature -20℃
截止波长λC3.5
3.4
µmCooler temperature 25℃
Cooler temperature -20℃
并联电阻Rsh15
300
18
380
Ω
探测能力D*2.5x10^9
1.4x10^10
3.5x10^9
1.7x10^10
cmHz1/2/Wλ=λp, Cooler temperature 25℃
λ=λp, Cooler temperature -20℃
KPDS100-H54PS

InGaAs/InAs光电二极管(带半导体电子制冷片) : 其他产品

 型号光接收尺寸
(mm)
最大灵敏度
波长
(nm), Typ.
灵敏度半功率角
(deg)
封装特点和用途
(A/W)@λ(nm)
KPDE086S-H54P0.86x0.861600(λp)0.9
1.0
1310
1550
TO-5 气密封装;带TE制冷片近红外线分光、近红外传感器
KPDE086S-H85P0.86x0.861600(λp)0.9
1.0
1310
1550
TO-46 气密封装;带TE制冷片
KPDS100-H54PSφ1(mm)3300(λp)
3200(λp)
1.2
1.4
3300TO-5 气密封装;带TE制冷片