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InGaAs/InAs光电二极管(带半导体电子制冷片)
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KPDE086S-H85P

KPDE086S-H85P

特点

  • 光接收面积大: 860µm sq.
  • 低暗电流、高分流电阻
  • 配备电子制冷片和热敏电阻
  • 小型封装(TO46)

应用

  • 近红外传感器
  • 近红外光谱分析
  • 光功率测量仪

规格

最大额定值
项目符号额定值单位备考
反向电压VR20V
最大光输入功率Pimax100mW
正向电流IF50mA
热敏电阻容许损耗Pth1.5mW
半导体制冷器电流IC1.0(max)A
工作温度Topr-40 to +70Avoid dew condensation
存储温度Tstg-40 to +85Avoid dew condensation
电子和光学特性
项目符号特征值单位条件
最小Typ.最大
光接收尺寸S0.86x0.86mm2
检测波长λ1600(λp)nmλp=Peak wavelength
响应率R0.8
0.9
0.9
1.0
A/Wλ=1310nm
λ=1550nm
暗电流ID110nAVR=5V
端子间电容Ct4560pFf=1MHz
KPDE086S-H85P

InGaAs/InAs光电二极管(带半导体电子制冷片) : 其他产品

 型号光接收尺寸
(mm)
最大灵敏度
波长
(nm), Typ.
灵敏度半功率角
(deg)
封装特点和用途
(A/W)@λ(nm)
KPDE086S-H54P0.86x0.861600(λp)0.9
1.0
1310
1550
TO-5 气密封装;带TE制冷片近红外线分光、近红外传感器
KPDE086S-H85P0.86x0.861600(λp)0.9
1.0
1310
1550
TO-46 气密封装;带TE制冷片
KPDS100-H54PSφ1(mm)3300(λp)
3200(λp)
1.2
1.4
3300TO-5 气密封装;带TE制冷片