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产品信息

InGaAs光电二极管
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KPEIMC-100

KPEIMC-100

特点

  • 端面入射型光电二极管,面向表面贴装
  • 低暗电流

应用

  • 激光二极管的背侧光功率监测器
  • FTTH数字光通信
  • 光配线

规格

最大额定值
项目符号额定值单位备考
反向电压VR20V
最大光输入功率Pimax10mW
正向电流IF10mA
工作温度Topr-40 to +85Avoid dew condensation
存储温度Tstg-40 to +85Avoid dew condensation
电子和光学特性
项目符号特征值单位条件
最小Typ.最大
光接收尺寸D100x80 (μm) 
带宽BW0.81.5GHzPi=-10dBm, VR=5V
响应率R0.5
0.65
0.7
0.8
A/Wλ=1310nm, Pi=-10dBm, VR=5V
λ=1550nm, Pi=-10dBm, VR=5V
暗电流ID35300pAVR=5V
总电容Ct0.851.2pFVR=5V, f=1MHz
晶片尺寸
项目尺寸公差单位备考
晶片大小350 x 350+/- 25μm
晶片高度150+/- 20μm
光接收直径(x,y) = (100,80)+/- 10μm1dB down
KPEIMC-100

InGaAs光电二极管 : 其他产品

 概要型号光接收尺寸暗电流封装特点和用途
Typ.
高速KPDE10GC-V228μmφ10pA@5V晶片10Gbps接收器
高速KPDE00445μmφ20pA@5V气密密封;尾纤DC-3Gbps接收器
高速KPDE00660μmφ30pA@2VDC-2.5Gbps接收器
高速KPDE00880μmφ30pA@5VDC-1.25Gbps接收器
高速KPDE020200μmφ50pA@5VDC-1GHz光功率监测器
高速KPDE030300μmφ100pA@5VDC-600Mzbps光功率监测器
大面积KPDE086S0.86 x 0.86 (mm) 1nA@5V气密密封近红外传感器、LD和LED光功率监测器、近红外分光、LD和LED老化装置、功率测量仪
大面积KPDE1501500μmφ1nA@1V
大面积KPDE3003000μmφ2nA@1V
微型封装KPDE008-S80μmφ30pA@5V微型封装;尾纤适用于多通道高密度封装
微型封装KPDE020-S200μmφ50pA@5V
微型封装KPDE030-S300μmφ100pA@5V
微型尾纤KPDE008S-TU80μmφ30pA@5V
微型尾纤KPDE030SA-TU300μmφ160pA@5V
L波段KPDE030SL300μmφ100pA@5V气密密封DWDM光输出监测器
24 channelKPDM024MT80μmφ80pA@5V24 ch 适用于多通道高密度封装
端面入射KPEIMC-100100x80 (μm) 35pA@5V晶片增大端面的光接收直径,提高光配线的耦合度
端面入射KPEIMC-UDCOM100x120 (μm) 50pA@5V大面积端面光电二极管
激光监测器
阵列KPA8-2N80μmφ80pA@5V250µm间距8通道阵列对接250µm间距光纤阵列
阵列KPA4-2N80μmφ80pA@5V250µm间距4通道阵列