製品情報

シリコンフォトトランジスタ
  • 製品検索

    ※品番を入力(前方部分一致)

KPT801C2

KPT801C2
データシートをダウンロード

特長

  • NPN型フォトトランジスタ
  • セラミックパッケージ
  • 低暗電流

用途

  • 光スイッチ
  • 光学式エンコーダ
  • 光アイソレータ
  • カメラストロボ
  • 赤外センサ
  • 自動制御機器

仕様

絶対最大定格
項目記号定格値単位備考
コレクタ−エミッタ間電圧VCEO20V
エミッタ−コレクタ間電圧VECO5V
動作温度Topr-20 to +80結露なきこと
保存温度Tstg-30 to +100結露なきこと
電気的・光学的特性
項目記号特性値単位条件
Min.Typ.Max
受光サイズS0.64×0.64mm
検出波長λ400880(λp)1100Vλp=ピーク波長
光電流IL4mAVCE=5V, 1000lx(@2856K)
暗電流ID100200nAVCE=20V
電流増幅率hFE400-VCE=5V, IC=2mA
コレクタ飽和電圧VCE(sat)0.4VIC=1mA, 1000lx(@2856K)
立上がり・立下がり時間tr,tf5µSVCE=5V, IC=2mA, RL=100Ω
半値角120deg
KPT801C2

シリコンフォトトランジスタ:その他の製品

 形名受光サイズ
(mm)
ピーク感度
波長
(nm), Typ.
光電流
VCE=5V
半値角
(deg)
パッケージ特徴及び用途
(mA)(IX)
KPT801H0.64×0.64800(λp)210017TO-18 気密封止標準
KPT801HB20.64×0.64880(λp)210017可視光カットタイプ
KPT811H0.64×0.64800(λp)210017ベース端子付
KPT801C20.64×0.64880(λp)41000120φ3セラミック エポキシ樹脂レンズセラミックタイプ
KPT081M310.64×0.64800(λp)7100060φ3樹脂モールド透明樹脂モールドタイプ
KPT081M320.64×0.64800(λp)4100090