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シリコンアバランシェフォトダイオード
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KPDA050P-H8

KPDA050P-H8
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特長

  • 1.3GHz応答(0.2mm受光径)
  • 1.2GHz応答(0.5mm受光径)
  • 0.6GHz応答(1mm受光径)
  • 高ゲイン

用途

  • 短波長光通信
  • 光計測
  • 光センサ
  • 微弱光検出

仕様

絶対最大定格
項目記号定格値単位備考
逆電流IR0.2mA
順電流IF10mA
動作温度Topr-40 to +85結露なきこと
保存温度Tstg-40 to +125結露なきこと
電気的・光学的特性
項目記号特性値単位条件
Min.Typ.Max
受光径D500µm
検出波長λ400780(λp)1000nm
受光感度R0.40.45A/WM=1, λ=850nm
降伏電圧VB80120200VIR=100µA
降伏電圧温度係数ΔVB/ΔT0.55V/℃
暗電流ID20500pAVR=50V
端子間容量Ct1.73.0pFVR=0.9VB, f=1MHz
遮断周波数fc1.2GHzM=100, RL=50Ω, λ=850nm
KPDA050P-H8

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 形名受光径
(µm dia.)
ピーク感度
波長
(nm)
感度増幅率パッケージ特徴及び用途
(A/W)@λ(nm)
KPDA020-H8200670(λp)0.45800150TO-18 気密封止fc=1.5GHz
KPDA050-H8500670(λp)0.45800150fc=0.4GHz
KPDA100-H81000670(λp)0.35660150fc=0.25GHz
KPDA020P-H8200780(λp)0.45850150fc=1.3GHz
KPDA050P-H8500780(λp)0.45850150fc=1.2GHz
KPDA100P-H81000780(λp)0.45850150fc=0.6GHz