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シリコン高速応答フォトダイオード
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KPID050M

KPID050M
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特長

  • 受光径200µmで2GHzの高速応答性
  • 受光径500µmでも0.4GHzを実現
  • 低暗電流
  • 低電圧駆動
  • 多様なパッケージにも対応

用途

  • 短波長光通信
  • 光計測
  • 光センサ

仕様

絶対最大定格
項目記号定格値単位備考
逆電圧VR50V
逆電流IR10mA
順電流IF1mA
動作温度Topr-40 to +85結露なきこと
保存温度Tstg-40 to +85結露なきこと
はんだ温度Tsol2605秒以下
電気的・光学的特性
項目記号特性値単位条件
Min.Typ.Max
受光径D500µm
検出波長λ4001000nm
受光感度R0.35A/WVR=3V, λ=850nm
暗電流ID40160pAVR=3V
トータル容量Ct4.5p5.5pFVR=3V, f=1MHz
遮断周波数fc0.4GHzRL=50Ω, VR=3V
KPID050M

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 形名受光径
(µm dia.)
ピーク感度
波長
(nm), Typ.
感度半値角
(deg)
パッケージ特徴及び用途
(A/W)@λ(nm)
KPID020D2000.35850TO-18 気密封止fc=2GHz 光通信
KPID050M5000.35850fc=0.4GHz 光通信