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電子冷却付InGaAs・InAsフォトダイオード
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KPDE086S-H54P

KPDE086S-H54P
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特長

  • 大きい受光面積: 860 µm sq.
  • 低暗電流、高シャント抵抗
  • 電子冷却(TEC), サーミスタ搭載

用途

  • 近赤外センサ
  • 近赤外分光分析
  • パワーメータ

仕様

絶対最大定格
項目記号定格値単位備考
逆電圧VR20V
最大光入力Pimax50mW
順電流IF50mA
サーミスタ許容損失Pth1.5mW
TEクーラー電流IC1.0(max)A
動作温度Topr-40 to +70結露なきこと
保存温度Tstg-40 to +85結露なきこと
電気的・光学的特性
項目記号特性値単位条件
Min.Typ.Max
受光サイズS0.86x0.86mm2
検出波長λ1600(λp)nmλp=ピーク波長
受光感度R0.8
0.9
0.9
1.0
A/Wλ=1310nm
λ=1550nm
暗電流ID110nAVR=5V
端子間容量Ct4560pFf=1MHz
KPDE086S-H54P

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 形名受光サイズ
(mm)
ピーク感度
波長
(nm), Typ.
感度半値角
(deg)
パッケージ特徴及び用途
(A/W)@λ(nm)
KPDE086S-H54P0.86x0.861600(λp)0.9
1.0
1310
1550
TO-5 気密封止 TEクーラー付近赤外線分光、近赤外センサー
KPDE086S-H85P0.86x0.861600(λp)0.9
1.0
1310
1550
TO-46 気密封止 TEクーラー付
KPDS100-H54PSφ1(mm)3300(λp)
3200(λp)
1.2
1.4
3300TO-5 気密封止 TEクーラー付