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Si PINフォトダイオード
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KPID020DS-S

KPID020DS-S
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特長

  • 複数チャネルフォトダイオードに最適な高密度パッケージ
  • キャップ絶縁型2ピンミニキャン(Φ1.96mm)
  • 省スペース(キャップ寸法: Φ1.96mm.× 3.35mmL)
  • 低暗電流(Typ. 15pA @ VR=10V)
  • 広い検出波長(400-1000nm)

用途

  • デジタル/アナログ極短距離(VSR)光通信
  • 光LAN
  • OE変換器

仕様

絶対最大定格
項目記号定格値単位備考
逆電圧VR20V
逆電流IR10mA
順電流IF10mA
動作温度Topr-40 to +85結露なきこと
保存温度Tstg-40 to +85結露なきこと
電気的・光学的特性
項目記号特性値単位条件
Min.Typ.Max
受光サイズD200μmφ
検出波長λ4001000nm
帯域幅BW2.0GHzRL=50Ω, VR=10V
受光感度R0.3A/Wλ=850nm, VR=10V
暗電流ID1560pAVR=10V
トータル容量Ct1.03.0pFVR=10V, f=1MHz
KPID020DS-S

Si PINフォトダイオード:その他の製品

 概要形名受光サイズ暗電流パッケージ特徴及び用途
Typ.
Si 高速 フォトダイオードKPID020D200μmφ10pA@3VハーメチックシールDC-2GHz レシーバー
Si 高速 フォトダイオードKPID050M500μmφ40pA@3VDC-400MHz レシーバー
ミニキャンKPID020DS-S200μmφ15pA@10VPDの高密度多重実装用モニター
キャップ絶縁型ミニキャン
Si 高速 フォトダイオードKPID150HC1500μmφ0.8nA@10Vチップ光通信
高速測定系