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Si PINフォトダイオード
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KPID020D

KPID020D
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特長

  • 受光径200µmで2GHzの高速応答性
  • 受光径500µmでも0.4GHzを実現
  • 低暗電流(Typ.10pA @ VR=3V)
  • 低電圧駆動
  • 多様なパッケージにも対応可能
    パッケージ形状の詳細

用途

  • 短波長光通信
  • 光計測
  • 光センサ

仕様

絶対最大定格
項目記号定格値単位備考
逆電圧VR50V
逆電流IR10mA
順電流IF1mA
動作温度Topr-40 to +85結露なきこと
保存温度Tstg-40 to +85結露なきこと
はんだ温度Tsol2605秒以下
電気的・光学的特性
項目記号特性値単位条件
Min.Typ.Max
受光サイズD200μmφ
検出波長λ4001000nm
受光感度R0.35A/WVR=3V, λ=850nm
暗電流ID1040pAVR=3V
トータル容量Ct1.21.6pFVR=3V, f=1MHz
遮断周波数fc2.0GHzRL=50Ω, VR=3V
KPID020D

Si PINフォトダイオード:その他の製品

 概要形名受光サイズ暗電流パッケージ特徴及び用途
Typ.
Si 高速 フォトダイオードKPID020D200μmφ10pA@3VハーメチックシールDC-2GHz レシーバー
Si 高速 フォトダイオードKPID050M500μmφ40pA@3VDC-400MHz レシーバー
ミニキャンKPID020DS-S200μmφ15pA@10VPDの高密度多重実装用モニター
キャップ絶縁型ミニキャン
Si 高速 フォトダイオードKPID150HC1500μmφ0.8nA@10Vチップ光通信
高速測定系