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InGaAsアバランシェフォトダイオード
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KPDEA007-56F

KPDEA007-56F
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特長

  • ハイスピード(1.25Gpbsまで)
  • 低暗電流
  • 高感度

用途

  • SONET
  • GE-PON

仕様

絶対最大定格
項目記号定格値単位備考
逆電流IR2mA
順電流IF10mA
動作温度Topr-40 to +85結露なきこと
保存温度Tstg-40 to +85結露なきこと
電気的・光学的特性
項目記号特性値単位条件
Min.Typ.Max
受光サイズD75μmφ
帯域幅BW2.0GHzM=10
受光感度R0.80
0.90
0.90
1.05
A/Wλ=1310nm, M=1
λ=1550nm, M=1
降伏電圧VB354555VID=10μA
暗電流ID1565nA0.9xVB
降伏電圧温度係数ΔVB/ΔT0.080.100.12V/℃
チップ容量Cchip0.540.65pFf=1MHz
トータル容量Ct0.91.1pFf=1MHz

InGaAsアバランシェフォトダイオード:その他の製品

 概要形名受光サイズ帯域幅
M=10
パッケージ特徴及び用途
APDKPDEA005-56F55μmφ3.0GHzハーメチックシール低雑音、幹線系、OTDR、微弱光検出
APDKPDEA007-56F75μmφ2.0GHz