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GaAsフォトダイオード
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KPDG008

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特長

  • PINタイプの構造で、低容量・高速応答性を実現
  • 低暗電流
  • 高信頼性
  • ピグテールタイプも対応可能(オプション)

用途

  • デジタル/アナログ光VSR通信
  • 光LAN
  • OE変換器

パッケージ形状の詳細

仕様

絶対最大定格
項目記号定格値単位備考
逆電圧VR20V
最大光入力Pimax10mW
動作温度Topr-40 to +85結露なきこと
保存温度Tstg-40 to +85結露なきこと
電気的・光学的特性
項目記号特性値単位条件
Min.Typ.Max
受光サイズD80μmφ
帯域幅BW3.54.0GHzPi=-10dBm, VR=5V, small signal modulation
受光感度R0.500.55A/Wλ=850nm, VR=5V
暗電流ID30160pAVR=5V
チップ容量Cchip0.40.5pFVR=5V, f=1MHz
トータル容量Ct0.951.10pFVR=5V, f=1MHz
KPDG008

GaAsフォトダイオード:その他の製品

 概要形名受光サイズ暗電流パッケージ特徴及び用途
Typ.
GaAs フォトダイオードKPDG00880μmφ30pA@5Vハーメチックシール ピグテール780-850nm VCSEL用DC-2.5Gbps レシーバー
表面入射KPDG020C200μmφ2.5pA@2Vチップ光配線
ファイバーチャンネルレシーバー